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物理百科知识-间接带隙半导体讲解
来源：学大教育 时间：2016-09-06 16:12:58
物理学习的一些知识关系到我们的生活，学好物理知识不仅仅是为了提高分数了，也是为了增长我们的知识面。下面学大教育网为大家带来物理百科知识-间接带隙半导体讲解，希望能够丰富大家的知识面。
间接带隙半导体(indirectbandgapsemiconductor)
指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，价带顶位于K空间原点，而导带底并不在K空间的原点。因此，间接带隙半导体中电子不仅吸收光子还与晶格交换能量，发生非直接跃迁。伴随发射或吸收适当的声子，电子的波矢K可以改变。GaP是间接带隙半导体，其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体，则可调节x。
以上就是学大教育网为大家带来的物理百科知识-间接带隙半导体讲解，希望这些知识能够对大家学习物理有所帮助，更多的物理百科内容请大家关注学大教育网。
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